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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

在電子工程世界為您找到如下關于“mosfet”的新聞

集微網消息,晶圓代工廠茂硅現金增資案順利完成,成功募得8.61億元新臺幣,主要用于擴產以及償還銀行借款。茂硅大股東朋程也公布認購茂硅現金增資8925張,斥資近1.83億元新臺幣。受惠金氧半場效電晶體(MOSFET)供不應求,茂硅今年持續接單滿載,公司辦理現金增資案,以因應購置機器設備以進行擴產,預計新產能自2020年開出,將貢獻當年2.85億元新臺幣營收。茂硅此次現增發行新股...
類別:綜合資訊 2018-12-15 標簽: MOSFET 茂硅
晶圓和mosfet價格繼續上漲
集微網消息,MOSFET的缺貨、漲價潮早已不是什么新鮮事。MOSFET的缺貨從2016年下半年就已經開始,一直持續至今,主要由于上游晶圓代工廠產能有限,加之需求市場火爆,引發缺貨潮。2017年下半年,長電科技先后三次提價,部分產品累計漲價幅度或超50%;長電之后,包括大中、尼克松、富鼎在內的臺系MOSFET供貨商也跟著漲價。MOSFET價格同比上漲30%,交期延長到10-20...
類別:便攜/移動產品 2018-12-04 標簽: 晶圓 MOSFET
芯科技消息(文/雷明正),金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)與電源管理IC廠商杰力今(26)日舉辦法說會,對于未來展望,總經理吳嘉連表示,今年第4季大概和第3季持平,不過,隨著電動車發展,整體MOSFET市場需求仍大于供給的產能。吳嘉連指出,一般汽車所使用的功率元件占21%,電動車則呈倍數增長到55%,主要原因是,汽車產業相當高的比例加入像電動車般的電子管理,傳統...
類別:分立器件 2018-11-27 標簽: MOSFET
瑞薩推出汽車應用級的100V、4A半橋N-mosfet系列驅動器
 全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子株式會社(TSE:6723)今日宣布推出全新汽車應用級的 100V、4A 半橋N-MOSFET系列驅動器--- ISL784x4。ISL784x4 系列驅動器包括三個型號: ISL78424 、 ISL78444(三態電平PWM 輸入,高邊和低邊驅動輸出)和 ISL78434(高邊和低...
類別:轉換器 2018-11-07 標簽: 瑞薩 驅動器 ISL784x4
東芝宣布推出新一代超結功率mosfet
新器件進一步提高電源效率 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)推出新系列的下一代650V功率MOSFET,用于數據中心服務器電源、太陽能(PV)功率調節器、不間斷電源系統(UPS)和其他工業應用。 TK040N65Z是DTMOS VI系列的首款器件,是一款支持續漏極電流(ID)高達57A,脈沖電流(IDP)高達228A的650V器件該款新器件提供...
類別:分立器件 2018-09-27 標簽: MOSFET 東芝
mosfet短缺3成 大中漲價提升毛利率
   金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)廠大中(6435)總經理薛添福表示,今年下半年MOSFET供給將持續短缺,大中當前產能也相當吃緊,預期目前供貨缺口比例達到三成。不過,目前大中在短期內有搶到多余產能,將有助于出貨成長。法人預期,MOSFET市場在缺貨效應加持下,大中可望借由產品漲價提升毛利率,第三季獲利相較上季有機會明顯提升。大中昨(28)日...
類別:綜合資訊 2018-08-29 標簽: MOSFET 毛利率
更高密度的低功率SMPS設計需要越來越多的高壓MOSFET器件。英飛凌科技股份公司推出CoolMOS? P7系列的新成員950 V CoolMOS P7超結MOSFET器件。該器件甚至能達到最嚴格的設計要求:用于照明、智能電表、移動充電器、筆記本適配器、AUX電源和工業SMPS應用。這種全新半導體解決方案能實現出色的散熱性能及能源效率,減少用料并降低總生產成本。 ...
類別:分立器件 2018-08-27 標簽: MOSFET器件
mosfet - 熱插拔原理
本文將探討如何選擇用于熱插拔的MOSFET(金氧半場效晶體管)。 當電源與其負載突然斷開時,電路寄生電感元件上的大電流擺動會產生巨大的尖峰電壓,對電路上的電子元件造成十分不利的影響。與電池保護應用類似,此處MOSFET可以將輸入電源與其他電路隔離開來。但此時,FET的作用并不是立即斷開輸入與輸出之間的連接,而是減輕那些具有破壞力的浪涌電流帶來的嚴重后果。這需要通過一個控制器...
類別:分立器件 2018-08-06 標簽: MOSFET 熱插拔
東芝開發出散熱性能更強的40V N溝道功率mosfet
- 新封裝提供雙面散熱,有效改善散熱。東京--八月,東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)將啟動面向汽車應用的40V N溝道功率MOSFET——“TPWR7904PB”和“TPW1R104PB”的量產和出貨。其采用雙面散熱、低電阻、小型DSOP Advance(WF)封裝。  這些新產品在“DSOP Advance”(WF)封裝中安裝U-MOS IX-H系列芯片...
類別:分立器件 2018-07-31 標簽: 東芝 MOSFET
mosfet供需緊張,半導體漲價缺貨,景氣將持續
日前,據臺灣媒體報道,隨著時序進入半導體市場傳統旺季,功率半導體MOSFET市場供給缺口持續擴大,國際IDM大廠又無擴增新產能,導致MOSFET價格已連續3季度調漲,目前第三季價格已上漲一成。而國際IDM廠下半年MOSFET產能也已被預訂一空,在此情形下,ODM/OEM廠及系統廠大舉轉單臺灣供應商,而國內隨著中興通訊重啟運營,也帶動大陸廠商MOSFET訂單大增,在漲價缺貨...
類別:分立器件 2018-07-27 標簽: MOSFET

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MOSFET的基礎知識:2.功率MOSFET 的結構和工作原理:功率MOSFET的種類:按導電溝道可分為P 溝道和N 溝道。按柵極電壓幅值可分為;耗盡型;當柵極電壓為零時漏源極之間就存在導電溝道,增強型;對于N(P)溝道器件,柵極電壓大于(小于)零時才存在導電溝道,功率MOSFET 主要是N溝道增強型。2.1 功率MOSFET 的結構功率 MOSFET 的內部結構和電氣符號如圖1 所示;其導通時...
類別:電機 2013年09月20日 標簽: 功率MOSFET
MOSFET的工作原理MOSFET的工作原理MOSFET的原意是:MOS(Metal OxideSemiconductor金屬氧化物半導體),FET(Field EffectTransistor場效應晶體管),即以金屬層...
類別:電機 2013年09月29日 標簽: MOSFET 的工 作原
功率MOSFET的基本知識功率MOSFET的基本知識自 1976 年開發出功率 MOSFET 以來,由于半導體工藝技術的發展,它的性能不斷提高:如高壓功率 MOSFET 其工 作電壓可達 1000V;低導通電阻 MOSFET 其阻值僅 lOm;工作頻率范圍從直流到達數兆赫;保護措施越來越完善;并開 發出各種貼片式功率 MOSFET(如 Siliconix 最近...
類別:科學普及 2013年09月29日 標簽: 功率 MOSFET 的基 本知
功率場效 應晶體管MOSFET 功率場效應晶體管MOSFET 摘要:文中闡述了MOSFET的結構、工作原理、靜態、動態特性,并對動態特性的改進進行了論述,簡介了MOSFET的驅動電路及其發展動態。 關鍵詞:MOSFET 結構 特性 驅動電路 發展 Abstract:This paper elaborate MOSFET frame、work elements、static state...
類別:模擬及混合電路 2013年06月18日 標簽: MOSFET
能同時滿足高、低b值的晶體管工作要求的設計方案8.2.6驅動效率8.3貝克(baker)鉗位8.3.1baker鉗位的工作原理8.3.2使用變壓器耦合的baker鉗位電路8.3.3變壓器型baker鉗位[5]8.3.4達林頓管(darlington)內部的baker鉗位電路8.3.5比例基極驅動[2~4]8.3.6其他類型的基極驅動電路參考文獻第9章大功率場效應管(mosfet)及其驅動電路9.1...
類別:開關電源 2013年06月18日 標簽: 開關電源設計
管(Darlington)內部的Baker鉗位電路 8.3.5 比例基極驅動[2~4] 8.3.6 其他類型的基極驅動電路 參考文獻 第9章 大功率場效應管(MOSFET)及其驅動電路 9.1 概述 9.2 MOSFET管的基本工作原理 9.2.1 MOSFET管的輸出特性(Id-Vds) 9.2.2 MOSFET管的輸入阻抗和柵極電流 9.2.3 MOSFET管柵極驅動...
類別:開關電源 2013年07月15日 標簽: 開關電源
N3856V動作原理說明:DISCONTINUE MODE 是利用流經MOSFET 兩端的電流與MOSFET 本身之RDS(ON)形成電壓降(VSD)和內部參考電壓20mV 比較來控制MOSFET 的導通與關閉 , N3856V 內部有一個電流偵測電路(current decter), 其偵測端直接接於MOSFET 之源極(S)與洩極(D) ,因為此IC 之參考接地為MOSFET 之源極(S...
類別:IC設計及制造 2013年09月22日 標簽: N3856V動作原理說明
MOSFET開關過程理解 本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關過程;然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關過程的方法:基于功率MOSFET的導通區特性的開關過程,并詳細闡述了其開關過程。開關過程中,功率MOSFET動態的經過是關斷區、恒流區和可變電阻區的過程。在跨越恒流區時,功率MOSFET漏極的電流和柵極電壓以跨導為正比例系列,線性增加。米勒平臺區對應著最大的負載...
類別:電機 2013年06月08日 標簽: MOSFET開關過程理解
,當開關K2,K3關斷的瞬間,由二極管VD4,VD1提供線圈繞組的續流,電流回路為地→VD4→線圈繞組BA→VD1→電源+Vs.步進電機驅動器中,實現上述開關功能的元件在實際電路中常采用功率MOSFET管.    由步進電機H橋驅動電路原理可知,電流在繞組中流動是兩個完全相反的方向.推動級的信號邏輯應使對角線晶體管不能同時導通,以免造成高低壓管的直通. ...
類別:電機 2013年09月22日 標簽: 步進電機控制電路設計
隨著MOSFET 的應用日益廣泛,在一些特殊場合常常會使用到互補MOSFET。本文針對互補MOSFET 的驅動問題進行了深入討論,比較了常用的驅動電路,提出了一種針對互補MOSFET 設計的新型驅動電路,并通過仿真驗證了結果。關鍵詞:互補MOSFET,脈沖變壓器,隔離驅動電路隨著電力半導體器件的發展[1-2],已經出現了各種各樣的全控型器件,最常用的有適用于大功率場合的大功率晶體管(GTR...

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啦。 GaN FET器件系列產品通過集成獨特的功能和保護特性,來實現簡化設計,達到更高的系統可靠性和優化高壓電源的性能,為傳統級聯和獨立的GaN FET提供了智能替代解決方案。 記得前不久德州儀器,主推了LMG3410R050、LMG3410R070和LMG3411R070三款產品。 據說它們的競爭優勢在于:1、更小、更有效的解決方案。與硅金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)相比,德州儀器...
34次瀏覽 2018-12-19 【無線連接】

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化學成分參見datasheet:http://www.ti.com.cn/cn/lit/ds/symlink/bq76pl536a.pdf目前最可靠最適合于量產的方案主動均衡方案是采用兩個EMB1428和一EMB1499.。。樓主可以去試試哦均衡電流可以用外部電壓對EMB1499來設定,在設計時候還需要考慮采樣電阻,主變壓器的設計,輸出電感的選擇還有MOSFET的選擇。問:順路問一下,對于上百串的電池...
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進行了重新規劃,從原來的“華芯商城GO”更名為“華芯商城”。 因為追求專業精進,所以我們不停探索,以期打造更優秀的平臺體系,給予用戶更多驚喜!那么,所有改變,都是值得等待的! 上線福利 :8205S直降到¥0.093! 8205S作為鋰電保護場效應管(MOSFET),是組成鋰電池保護板的重要元件。 ​    產品特性 1. 專有先進平面...
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仿真系統等特點。 UCC28780及UCC24612的芯片組合,能夠減少50%的占用空間,在滿負載情況下提供95%的效率。還有一個重點的是待機功耗小于40mW,我們可以在全世界每一個地方都符合該地區的待機標準,現在在國內也非常重視節能,這是一個很重要的指標。   UCC28780可以同時支持氮化鎵和硅,主要是根據不同功率切換氮化鎵和一般功率的MOSFET,IC那部分TI已經有整套...
101次瀏覽 2018-12-17 【模擬與混合信號】

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是便攜式設備的理想電源IC裝置。 特征: 2A恒定輸出電流 140mΩRDSON內部功率PMOSFET開關 效率高達95% 固定380KHz頻率 3.6V至20V的寬輸入電壓范圍 輸出可在1.20V至18V范圍內調節 內置頻率補償 內置熱關斷功能 內置電流限制功能 SOIC-8封裝可用 最小壓降高達0.3V 應用: 便攜式DVD 液晶顯示器/電視 充電IC器...
0次瀏覽 2018-12-14 信息發布 標簽: 電源IC MOS管 降壓IC 充電IC 穩壓IC

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智能無源傳感器電動汽車車載充電機(OBC)及ASPM解決方案物聯網應用中超低功耗BLE用于工業應用的MOSFET和寬禁帶(WBG)解決方案用于工業應用的高性能IGBT和隔離柵極驅動器 屆時,WPIg 和ON Semiconductor的技術專家將于現場為大家展示ON Semiconductor BLE & Industry相關產品的應用,與大家分享/交流設計中遇到的各種問題和解決方法!務必...
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概述AP6303 是一個完善的單片鋰離子電池恒流/恒壓線性電源管理芯片,其 SOP/MSOP 封裝和極少的外圍 元 件 非 常 適 合 應 用 于 便 攜 式 產 品 , 而 且AP6303 專門設計適用于 USB 的供電規格。基于內部 MOSFET 結構,不需要外部感應電阻和阻塞二極管,當外部環境溫度過高或在大功率工作時,熱反饋可以調節充電電流以降低芯片溫度。充電電壓被限定在 4.2V,充充...
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4.75V至23V工作輸入范圍 集成130mΩ功率MOSFET開關 輸出可在0.923V至20V范圍內調節 效率高達93% 可編程軟啟動 低ESR陶瓷輸出電容穩定 固定340KHz頻率 逐周期過流保護 輸入欠壓鎖定驅動IC 應用: 分布式電源系統 網絡系統 FPGA,DSP,ASIC電源 綠色電子/電器 筆記本電腦 兩個130mΩ的MOSFET開關_單片...
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2016-12-09 標簽: MOSFET 數據手冊
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