每个功率器件都需要一个驱动芯片——合适的驱动器让您事半功倍

英飞凌EiceDRIVER 栅极驱动器解决方案,用于驱动MOSFET、IGBT、SiC MOSFET以及GaN HEMT,包括:
- 隔离栅极驱动器
- 电平转换栅极驱动器
- 非隔离低边驱动器
下载选型手册,可基于不同的终端应用,为您推荐最适合的栅极驱动芯片。

下载选型手册

EiceDRIVER? 栅极驱动器产?#26041;?#32461;

电平转换驱动芯片
> 绝缘体上硅(SOI)驱动芯片

能够在芯片内部集成自举二极管,拥有极低的电平转换电路损耗,和VS脚优异的抗负压能力

> PN结隔离(JI)驱动芯片

产品详情
隔离型驱动芯片

耐用、?#30475;蟆?#31934;准的单通道和双通道隔离栅极驱动器IC

> 高达10A的电流驱动能力,无需外部放大器

> 精准可靠的DESAT保护, 有源米勒钳位功能,UL和VDE认证

非隔离驱动芯片

栅极驱动器IC,带有低边输出通道,可控制MOSFET或IGBT等功率器件

> 单通道和双通道低边驱动芯片, 拥有不同的电流驱动能力, 正反逻辑输入,和UVLO

EiceDRIVER? 栅极驱动器选型指南

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